Оперативная память Kingston KVR16N11S6/2
Информация о товаре
faq
Технические характеристики
Оперативная память Kingston KVR16N11S6/2
Оперативная память Kingston KVR16N11S6/2
Основные характеристики
Количество контактов
240
Количество модулей в комплекте
1
Объем одного модуля
2
Напряжение питания
1.5
Тактовая частота
1600
Товар сертифицирован
да
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR3
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тайминги
CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Дополнительно
Количество ранков
1
Упаковка чипов
Односторонняя
Количество чипов каждого модуля
4
Другое
Гарантия (мес)
1 год